Bridgman-Strockbarger法

図1 Bridgman-Strockbarger (BS)法の模式図

 Bridgman-Strockbarger (BS)法は、坩堝内で溶融させた原料を温度勾配下で一方向凝固させることによって、坩堝内に単結晶を育成する方法です(図1)。 我々は、BS法を用いてハロゲン化物シンチレータ単結晶や圧電単結晶の育成を行っています。ハロゲン化物単結晶の育成に用いているBS法は、 特にハロゲン化物用垂直ブリッジマンン法(H-VB)法と呼び、用いる原料や育成した単結晶の高い吸湿性に対応した手法となっています。

 結晶育成を行うチャンバーを内部の不活性雰囲気を保ったままグローブボックス内に出し入れ可能できるようにしたことで、 単結晶育成の全ての工程で大気中に暴露されない環境を作り出すことに成功しました。 現在はH-VB法を用いて、シンチレータ材料であるEu添加SrI2やCeBr3、CaI2等の単結晶作製を行っており、特にEu添加SrI2は2インチ径のバルク単結晶の量産化に成功し、 食品モニタやスペクトロメータ用シンチレータとして採用されています(図2)。

図2 BS法で育成した2インチ径
Eu:SrI2シンチレータ

他の結晶育成技術

マイクロ引き下げ法

Czochralski法

フローティングゾーン法

記事URLをコピーしました